类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.18Ω（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247AC

IXGE75N90Z具有多个关键特性，使其在高压高功率应用中表现出色。首先，其900V的最大漏源电压允许该器件在高电压系统中稳定运行，如太阳能逆变器和工业电源。其次，75A的最大漏极电流能力使其适用于高电流负载，能够承受较大的瞬时电流冲击。该MOSFET的导通电阻约为0.18Ω，较低的Rds(on)意味着更低的导通损耗，从而提高了整体系统的能效。
　　此外，IXGE75N90Z采用了先进的硅技术和平面制造工艺，确保了其在高温环境下的稳定性。器件的封装形式为TO-247AC，这种封装不仅便于散热，也方便用户在PCB上安装和焊接。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的工业环境。
　　IXGE75N90Z还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间的过载情况下保持稳定运行。此外，它的栅极驱动电压范围较宽，通常为10V至20V之间，这使得它可以与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。

IXGE75N90Z广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性的场合。例如，在工业电源和开关电源中，该器件能够高效地处理高电压和大电流，提高电源转换效率。在电机驱动和逆变器系统中，IXGE75N90Z的快速开关特性和低导通电阻有助于减少能量损耗，提升系统性能。该MOSFET还常用于太阳能逆变器，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用，其高电压和大电流能力非常适合这一应用场景。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统，确保在主电源故障时能够迅速切换到备用电源，保障关键设备的持续运行。在电动汽车充电设备、电焊机和高频感应加热系统中，IXGE75N90Z也能发挥出色的性能。由于其良好的热稳定性和耐久性，IXGE75N90Z在各种工业自动化和控制系统的功率转换模块中也有广泛应用。

IXGN75N90T1；IXFN75N90；IXFH75N90