时间：2025/8/6 4:59:53
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IXGC16N60C2是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用中。该器件采用TO-247封装形式，设计用于高效功率转换系统，如电源供应器、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等。IXGC16N60C2具有较低的导通电阻和快速的开关特性，以提高系统效率并减少功率损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：16A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：0.32Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-247
IXGC16N60C2的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻，使其非常适合用于高效率功率转换系统。
该MOSFET采用了先进的平面技术，提供优异的开关性能和热稳定性，有助于减少开关损耗并提高系统的整体效率。
此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，使其在过载或瞬态条件下表现出良好的可靠性。
其TO-247封装形式有助于良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
该MOSFET还具有较强的抗短路能力，可以在一定程度上承受意外的短路事件，从而提高系统的安全性。
IXGC16N60C2适用于广泛的工业应用，包括电源、电机驱动器、照明系统和工业自动化设备。
IXGC16N60C2广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机控制和驱动器、DC-DC转换器、逆变器以及各种工业自动化和控制系统。
在电源应用中，该MOSFET可以用于高效率的AC-DC和DC-DC转换器，提供稳定的输出并减少功率损耗。
在电机控制和驱动器中，IXGC16N60C2可以用于高效地控制电机的速度和扭矩，适用于变频器和伺服驱动器等设备。
此外，该器件还可用于照明系统，如LED驱动器和高强度放电灯（HID）镇流器，以提供稳定的电流和提高系统寿命。
在工业自动化领域，IXGC16N60C2可用于各种控制系统和电源管理模块，以实现高效能和高可靠性的操作。
IXFP16N60P2, IRFP4668, STW15NK60Z, FCH072N60F
