时间：2025/8/6 11:32:16
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IXGA48N60A3-TRL 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于高功率和高效率的电力电子应用。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于工业电源、逆变器、电机控制和电源管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
漏极电流（ID）@ 25°C：48A
导通电阻（RDS(on)）：0.125Ω
栅极电荷（Qg）：120nC
工作温度：-55°C ~ +150°C
封装：TO-247
IXGA48N60A3-TRL 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 0.125Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 600V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。此外，其额定漏极电流为 48A，在高温环境下仍能保持稳定运行，具备良好的热稳定性。
该器件的栅极电荷（Qg）为 120nC，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率密度设计中的可靠性。此外，IXGA48N60A3-TRL 还具备出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在突变负载条件下的耐用性。这些特性共同保证了该 MOSFET 在工业控制、电源转换和电机驱动等苛刻环境下的长期稳定运行。
IXGA48N60A3-TRL 适用于多种高功率电子系统，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备和功率因数校正（PFC）电路。由于其高耐压和大电流能力，该器件在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中表现优异，可有效提高系统效率并减少热量产生。此外，在电机控制和电能质量调节设备中，该 MOSFET 可提供快速响应和稳定的功率输出。在新能源应用中，如光伏逆变器和储能系统，IXGA48N60A3-TRL 也广泛用于实现高效的能量转换和管理。
IXFH48N60P3, IRGPC40K, FGH40N60SMD
