时间：2025/12/26 19:15:40
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IXGA16N60B2是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能高压功率MOSFET，采用先进的超结（Superjunction）技术设计，专为高效率、高频率的开关电源应用而优化。该器件属于CoolMOS?系列中的一员，这一系列产品以其卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg）性能著称，能够在保持低导通损耗的同时显著降低开关损耗，从而提升整体系统效率。IXGA16N60B2的额定电压为600V，连续漏极电流可达16A，在高温环境下仍能维持稳定的工作性能，适用于各类工业电源、服务器电源、光伏逆变器、LED驱动电源以及不间断电源（UPS）等对能效和可靠性要求较高的场合。其封装形式为TO-247，具备良好的热传导能力，便于安装散热器以实现高效散热。此外，该器件还集成了快速体二极管，有助于减少外部续流二极管的需求，简化电路设计并提高系统集成度。由于采用了先进的制造工艺，IXGA16N60B2在高温下的可靠性表现优异，具有较强的抗雪崩能力和长期稳定性，适合在恶劣工作条件下长期运行。
型号：IXGA16N60B2
制造商：Infineon Technologies
产品系列：CoolMOS? CFD2
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600 V
漏极电流（Id）@25°C：16 A
漏极电流（Id）@100°C：10.3 A
导通电阻Rds(on) @最大值：180 mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 4.5 V
栅极电荷（Qg）@10V：79 nC
输入电容（Ciss）：1300 pF
反向恢复时间（trr）：33 ns
体二极管正向电压（Vf）：1.45 V
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装类型：TO-247
IXGA16N60B2基于英飞凌领先的CoolMOS? CFD2技术平台，具备出色的静态与动态性能平衡。其核心优势在于超结结构带来的极低单位面积导通电阻，使得在600V耐压等级下仍能实现仅为180mΩ的Rds(on)，大幅降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大功率密度设计场景。同时，该器件通过优化栅极结构和掺杂分布，有效控制了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而显著减少了开关过程中的能量损耗，提升了转换效率，尤其是在高频DC-DC变换器或PFC电路中表现突出。其快速体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr=33ns），能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统的可靠性和稳定性。
该器件在高温工作条件下的性能一致性良好，得益于材料和工艺的优化，即使在接近150°C的结温下也能保持稳定的电气参数。此外，IXGA16N60B2具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。TO-247封装不仅提供了优异的热传导路径，还增强了机械强度和焊接可靠性，适合自动化生产和严苛环境下的长期运行。综合来看，IXGA16N60B2是一款面向高能效电源应用的理想选择，尤其适合追求小型化、高效率和高可靠性的现代电力电子系统设计需求。
IXGA16N60B2广泛应用于多种高效率开关电源拓扑结构中，尤其适用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）级电路，如升压PFC和双路升压PFC架构，能够在宽输入电压范围内实现高效的能量转换。在服务器电源、通信电源和工业电源系统中，该器件常用于主开关管或辅助开关管位置，帮助提升整机能效并满足80 PLUS钛金等高标准能效认证要求。此外，在太阳能光伏逆变器中，IXGA16N60B2可用于DC-AC转换前级的直流升压环节，凭借其低损耗特性有效提升逆变器的整体转换效率。在LED恒流驱动电源领域，特别是在大功率户外照明或商业照明应用中，该器件可用于有源钳位反激或LLC谐振变换器中，提供稳定的高频开关性能。同时，它也适用于不间断电源（UPS）、电动车辆充电模块、感应加热设备以及工业电机驱动中的辅助电源部分。由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，IXGA16N60B2特别适合部署在密闭空间或高温环境中长期运行的电源装置中。
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