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IXGA12N60C 发布时间 时间:2025/8/6 9:00:39 查看 阅读:26

IXGA12N60C是一款由IXYS公司设计制造的N沟道功率MOSFET,广泛用于需要高效能功率转换的电源系统中。该器件采用了先进的硅技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够满足高频率操作的需求。适用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制及电池充电器等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):12A
  功耗(Pd):160W
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V~4V
  导通电阻(Rds(on)):最大0.38Ω
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXGA12N60C的主要特性包括其低导通电阻和快速开关速度,这使其在高频应用中表现出色,从而减少了能量损耗并提高了系统效率。
  这款MOSFET的封装设计使其能够轻松集成到各种电路板布局中,同时具备良好的散热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
  此外,IXGA12N60C具有较高的耐用性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作,适用于工业级和高要求的商业应用。
  器件的栅极阈值电压范围适中,允许使用标准的驱动电路,简化了设计流程并降低了整体成本。
  由于其优化的结构设计,IXGA12N60C在开关过程中表现出色,减少了开关损耗,并降低了电磁干扰(EMI)的产生。

应用

IXGA12N60C常用于各类电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)以及工业电机控制设备。
  在太阳能逆变器和电池充电器等新能源应用中,该MOSFET能够提供高效的功率转换能力,满足绿色能源系统的需求。
  此外,它还广泛应用于电机驱动和负载开关控制电路中,为工业自动化和电机控制提供可靠的解决方案。
  在消费类电子产品中,如高功率LED照明和智能家电,IXGA12N60C也常用于电源管理部分,确保设备的高效运行。
  其优异的热性能和稳定性使其成为汽车电子系统中不可或缺的元件,如车载充电器和电机控制器。

替代型号

IXGA12N60CD1, IXFN12N60P, FCP12N60, IRFPC50

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IXGA12N60C参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)24A
  • 功率 - 最大100W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263AA
  • 包装管件