IXGA12N60C是一款由IXYS公司设计制造的N沟道功率MOSFET,广泛用于需要高效能功率转换的电源系统中。该器件采用了先进的硅技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够满足高频率操作的需求。适用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制及电池充电器等应用领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):12A
功耗(Pd):160W
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V~4V
导通电阻(Rds(on)):最大0.38Ω
工作温度范围:-55°C~150°C
封装形式:TO-247
IXGA12N60C的主要特性包括其低导通电阻和快速开关速度,这使其在高频应用中表现出色,从而减少了能量损耗并提高了系统效率。
这款MOSFET的封装设计使其能够轻松集成到各种电路板布局中,同时具备良好的散热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
此外,IXGA12N60C具有较高的耐用性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作,适用于工业级和高要求的商业应用。
器件的栅极阈值电压范围适中,允许使用标准的驱动电路,简化了设计流程并降低了整体成本。
由于其优化的结构设计,IXGA12N60C在开关过程中表现出色,减少了开关损耗,并降低了电磁干扰(EMI)的产生。
IXGA12N60C常用于各类电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)以及工业电机控制设备。
在太阳能逆变器和电池充电器等新能源应用中,该MOSFET能够提供高效的功率转换能力,满足绿色能源系统的需求。
此外,它还广泛应用于电机驱动和负载开关控制电路中,为工业自动化和电机控制提供可靠的解决方案。
在消费类电子产品中,如高功率LED照明和智能家电,IXGA12N60C也常用于电源管理部分,确保设备的高效运行。
其优异的热性能和稳定性使其成为汽车电子系统中不可或缺的元件,如车载充电器和电机控制器。
IXGA12N60CD1, IXFN12N60P, FCP12N60, IRFPC50