时间：2025/8/7 14:21:24
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IXFR180N085 是一款由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种高功率开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具备低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。其设计使其非常适合用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及各种工业自动化系统中。IXFR180N085 采用 TO-263（D2Pak）封装形式，支持表面贴装安装，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：MOSFET（N 沟道）
漏极电流（ID）：180A
漏源电压（VDS）：85V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.8mΩ（典型值 2.2mΩ）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
引脚数：3
极性：N 沟道增强型
IXFR180N085 MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流条件下导通损耗极低，从而提高了系统的整体效率。该器件采用了先进的平面 MOSFET 技术，具备良好的热稳定性和高耐用性。TO-263（D2Pak）封装形式不仅提供了良好的热管理，还支持自动化贴装工艺，提高了生产效率。
此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，能够在高频率下运行，适用于高效率的开关电源和 DC-DC 转换器。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 和 12V 驱动电路，同时也支持逻辑电平驱动（如 4.5V 和 5V），增强了其在多种应用中的兼容性。
IXFR180N085 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、逆变器、UPS 系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。在开关电源中，该器件用于高效率的功率转换，降低导通损耗并提高整体能效；在电机控制应用中，它能够承受大电流和频繁的开关操作，确保系统的稳定性和可靠性。
由于其出色的热性能和高耐压特性，IXFR180N085 也常用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率管理系统，如电池保护电路和车载充电器。此外，该器件还可用于高功率 LED 照明驱动、服务器电源模块以及工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF180N085C, IPU180N08N3, IXFN180N085C2
