IXFY36N20X3 时间：2025/8/6 2:48:22 阅读：26

IXFY36N20X3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。该器件采用了先进的高压超结技术，能够在 200V 的漏源电压下提供高达 36A 的连续漏极电流，同时保持较低的导通电阻和开关损耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：36A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为 32mΩ（最大值为 40mΩ）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V 至 4V
　　最大功耗(Pd)：250W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

IXFY36N20X3 采用 IXYS 的专利高压超结（HiperFET）技术，这使得它在保持高耐压能力的同时，具有极低的导通电阻。其 Rds(on) 值仅为 32mΩ（最大 40mΩ），大大降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定性能。
　　该器件的封装形式为 TO-247，适用于多种功率电路设计中。其快速开关特性使其非常适合用于高频率开关电源、同步整流、电池充电器以及逆变器等应用。同时，该器件具有良好的雪崩能量吸收能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性和寿命。
　　IXFY36N20X3 还具备低栅极电荷（Qg）特性，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，从而进一步提高整体效率。由于其高电流容量和低导通电阻，该器件非常适合用于高功率密度设计中。

应用

IXFY36N20X3 主要应用于各种高功率电源系统，包括但不限于：
　　- 高效开关电源（SMPS）
　　- DC-DC 转换器（如升压、降压和反相拓扑）
　　- 电机控制器和伺服驱动器
　　- 电池充电系统
　　- 太阳能逆变器和储能系统
　　- 服务器电源和通信设备电源
　　- 电子负载和测试设备
　　其高电流容量和低导通电阻使其成为需要高效率和高可靠性的电源管理系统的理想选择。