类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）@25°C：80A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.085Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　热阻（RthJC）：0.45°C/W
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　输入电容（Ciss）：2200pF
　　输出电容（Coss）：450pF
　　反向恢复时间（trr）：175ns

IXFX80N50Q3 MOSFET具备多项显著特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.085Ω，这大大减少了在导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达500V，适合高压应用。此外，IXFX80N50Q3的最大连续漏极电流为80A，使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率场合。
　　在开关性能方面，IXFX80N50Q3表现出色。其栅极电荷（Qg）为120nC，相对较低，有助于减少开关过程中的能量损耗。反向恢复时间（trr）为175ns，这使得该MOSFET在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗并提高了系统效率。同时，该器件的输入电容（Ciss）为2200pF，输出电容（Coss）为450pF，这些参数优化了器件的高频响应特性。
　　 IXFX80N50Q3采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。其热阻（RthJC）为0.45°C/W，说明其从结到外壳的热传导效率较高，有助于降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，可在恶劣的环境条件下正常运行。

IXFX80N50Q3 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统。其中，电源转换器是其主要应用之一，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。由于其高效的导通和开关性能，IXFX80N50Q3能够有效提高电源系统的效率，减少能量损耗，适用于工业电源、通信电源等领域。
　　在电机控制方面，IXFX80N50Q3适用于变频器和电机驱动器。其高电流承载能力和快速开关特性，使其在控制电机速度和扭矩时表现出色，适用于工业自动化设备、电动汽车驱动系统等应用场景。
　　另外，IXFX80N50Q3也适用于逆变器设计，特别是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件能够在高电压和高电流条件下稳定工作，提高逆变器的效率和可靠性。
　　此外，IXFX80N50Q3还可用于高频开关电源、焊接设备、电镀电源等高功率应用场合。其优异的性能和可靠性使其成为各种高功率电子系统中不可或缺的关键元件。

STF80N50M5, FCP80N50, FDP80N50