时间：2025/8/6 10:58:00
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IXFX520N075T2 是由 IXYS 公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 T2-PAK 封装形式，具备高电流承载能力和低导通电阻的特性，适用于高功率开关应用。该器件设计用于需要高效能、高可靠性和紧凑封装的电力电子系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：75 V
漏极电流 Id（最大）：200 A
导通电阻 Rds(on)：5.2 mΩ（典型值）
栅极阈值电压 Vgs(th)：2.5 V 至 4.0 V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：T2-PAK
功率耗散：400 W（最大）
IXFX520N075T2 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。其 75 V 的漏源电压额定值使其适用于多种中压功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。
该 MOSFET 采用先进的沟槽式技术制造，提供更高的电流密度和更好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其 200 A 的连续漏极电流能力，使得该器件非常适合用于高功率密度的设计中。此外，T2-PAK 封装具有良好的热传导性能，便于散热设计，有助于延长器件寿命并提升系统的可靠性。
IXFX520N075T2 还具备出色的短路和过载耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。此外，该器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的 12V 和 15V 驱动电路，降低了驱动电路的设计复杂度。
IXFX520N075T2 被广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车（EV）充电系统等。
在工业电源和 DC-DC 转换器中，该器件可以作为主开关元件，用于高效转换和调节电源电压。其低导通电阻和高电流能力有助于提升转换效率，降低系统温升。在电机控制应用中，IXFX520N075T2 可用于构建 H 桥电路，实现电机的双向控制，并具备较强的过载和短路保护能力。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该 MOSFET 可用于高频开关电路，实现对电能的高效转换和管理。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于户外和恶劣环境下的应用。此外，在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
IXFH200N075T4, IXFH200N075T3, IRFB4110, SiR862DP
