类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：12A
　　功耗（Pd）：83W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω @Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V~4.0V

JCS12N65ST 功率MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。其最大漏源电压高达650V，能够满足大多数中高功率电源转换应用的需求。漏极电流在25℃下可达12A，确保在中等负载条件下具有良好的导通性能。
　　该器件的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.45Ω，能够在导通状态下有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的10V~12V驱动电路，便于在各类应用中使用。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，在标准TO-220封装下可提供83W的最大功耗能力，适合在连续工作和高负载环境下使用。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适应各种工业环境下的稳定运行。
　　由于采用了先进的高压工艺技术，JCS12N65ST 在高温和高电压条件下仍能保持稳定的性能，具有较强的抗雪崩能力和较长的使用寿命。这使其成为开关电源、AC-DC适配器、LED驱动电源、电机驱动器等应用中的理想选择。

JCS12N65ST 广泛应用于多种电源和功率控制电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、AC-DC整流电路中的同步整流部分、LED驱动电源、电机控制器、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS不间断电源等。此外，该器件也可用于工业自动化设备、家用电器和新能源系统中的功率开关控制。
　　由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，JCS12N65ST 特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源设计中。例如，在反激式开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换；在DC-DC转换器中，可用于同步整流或功率开关，提升整体转换效率；在电机控制应用中，作为H桥结构中的开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。
　　此外，该器件的热稳定性和封装散热性能良好，使其在高温环境中也能保持稳定运行，广泛应用于车载电子、工业控制和智能家居设备中。

12N65C3、12N65F、12N65S、FQA12N65C、STF12N65M2、IRFGB40N65B、TK12A65D、TK12A65W