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IXFX48N60Q3 发布时间 时间:2025/8/6 8:49:38 查看 阅读:27

IXFX48N60Q3是一款由IXYS公司(现为Littelfuse子公司)制造的N沟道功率MOSFET,采用第三代Q3技术,具有高性能和高效率。该MOSFET专为高功率应用设计,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适用于工业电源、电机控制、电源转换器以及电动汽车等领域。IXFX48N60Q3采用了先进的平面技术,提供更好的热性能和更高的可靠性,使其在高负载条件下依然能保持稳定运行。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):0.185Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(Pd):200W
  输入电容(Ciss):1800pF
  反向恢复时间(trr):35ns

特性

IXFX48N60Q3 MOSFET具有多项显著特性,首先其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,该器件的高耐压能力(600V)使其适用于多种高压应用,如电源转换器、电机驱动器和工业自动化设备。此外,IXFX48N60Q3采用Q3技术,该技术优化了开关性能,降低了开关损耗,从而提高了器件在高频开关应用中的效率。
  该MOSFET还具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在恶劣的环境条件下长期运行。其TO-247封装形式不仅便于安装和散热,还提供了良好的机械稳定性和电气隔离性能。IXFX48N60Q3还具备较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定,从而保护系统免受损坏。
  此外,该器件的快速反向恢复时间(trr)有助于减少整流过程中的能量损耗,提升整体系统效率。同时,其较低的输入电容(Ciss)也有助于降低栅极驱动损耗,使其适用于高频开关电路。

应用

IXFX48N60Q3广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制模块以及工业自动化设备。由于其高效的开关性能和低导通电阻,该MOSFET特别适合用于需要高效率和高功率密度的电源设计。
  在电动汽车和充电系统中,IXFX48N60Q3可用于电池管理系统、车载充电器以及电动机控制器。其高耐压和高电流能力使其能够承受电动汽车中常见的高功率负载。
  此外,该MOSFET还可用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电控制器,帮助实现高效的能量转换和管理。在工业控制领域,它可用于PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和UPS(不间断电源)系统,确保系统在高负载条件下的稳定运行。

替代型号

IXFH48N60Q3, IRFP4868PBF, STW48N60DM2, FCP48N60

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IXFX48N60Q3参数

  • 特色产品Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7020pF @ 25V
  • 功率 - 最大1000W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件