类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：4V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=1mA, VCE=6V）
　　特征频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：S-Mini (US6)
　　通道数：单通道

2SC5730TLR具备出色的高频响应能力，其特征频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频放大电路，如射频前端模块、无线收发器中的小信号放大以及高速开关应用。这一高频性能得益于优化的半导体结构设计和先进的制造工艺，确保载流子在基区的渡越时间极短，从而显著提升晶体管的工作频率上限。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值在70至700之间，这使得它可以在不同的偏置条件下保持良好的放大线性度，适应多种电路设计需求。无论是低电流还是中等电流工作状态，2SC5730TLR都能维持较高的增益稳定性，减少因温度或电流波动带来的性能偏差。
　　低噪声特性是该晶体管的另一大优势，尤其适用于对信噪比要求较高的前置放大电路。在射频接收链路中，使用低噪声晶体管可以有效提升系统灵敏度，降低误码率。2SC5730TLR通过优化基极电阻和结电容，有效抑制了内部噪声源，使其在GHz以下频段表现出色。
　　其S-Mini封装尺寸小巧，仅为约1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，便于实现在高密度PCB布局中的自动化贴片生产，同时具备良好的散热性能。该封装还具有较低的寄生电感和电容，有助于维持高频信号完整性。
　　此外，2SC5730TLR符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保电子产品的大规模生产。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛环境条件下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。

2SC5730TLR广泛应用于高频小信号放大场景，特别是在无线通信领域表现突出。它常用于移动通信设备中的射频放大器模块，例如智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块和ZigBee等短距离无线通信系统的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。凭借其高增益和低噪声特性，该晶体管能够有效增强微弱接收到的射频信号，提高接收灵敏度和通信质量。
　　在消费类电子产品中，2SC5730TLR可用于音频前置放大电路，尤其是在微型麦克风信号调理电路中发挥重要作用。其高输入阻抗和良好线性度有助于保留原始音频信号细节，减少失真。
　　此外，该器件也适用于高速开关电路，如脉冲信号处理、数字逻辑接口缓冲以及传感器信号调理电路。在便携式设备电源管理单元中，可作为控制信号的开关元件，实现快速响应和低功耗操作。
　　由于其小型化封装和高性能，2SC5730TLR还被用于各种高频振荡器电路、混频器电路以及电视调谐器、卫星接收器等模拟高频设备中。在工业自动化、汽车电子和物联网终端设备中也有一定应用前景，尤其适合空间受限但对性能有较高要求的设计方案。

MMBT3904, 2SC3356, 2SC3838, BFR92A