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IXFX48N60P 发布时间 时间:2023/3/6 14:15:17 查看 阅读:685

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:PolarHV?

    


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:PolarHV?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:135 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):600V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:48A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :8860pF @ 25V

    功率 - 最大:830W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:PLUS247?-3

    包装:管件

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

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IXFX48N60P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C135 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8860pF @ 25V
  • 功率 - 最大830W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件