时间：2025/8/6 4:20:54
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IXFX48N55 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高电流能力和高耐压特性，适用于工业电源、电机控制、逆变器和不间断电源（UPS）等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：550V
漏极-栅极电压(Vdg)：550V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：48A
功耗(Pd)：300W
导通电阻(Rds(on))：0.17Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TO-247
IXFX48N55 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高达 550V 的漏极-源极电压能力使其适用于中高功率的电源转换系统。其次，该器件的导通电阻仅为 0.17Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其连续漏极电流能力达到 48A，可支持大电流负载操作。
在热管理方面，IXFX48N55 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，确保在高功率工作状态下仍能维持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种常见的栅极驱动电路，提高了设计灵活性。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种工业环境条件下的稳定运行。
另外，该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积并提高响应速度。综合来看，IXFX48N55 是一款性能稳定、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种高功率电子系统。
IXFX48N55 常用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）和工业自动化控制系统。其高耐压和大电流能力也使其适用于太阳能逆变器、电焊设备以及电力储能系统等应用场景。此外，在需要高效能功率开关的场合，如DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中，该器件同样表现出色。
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