时间：2025/4/28 17:15:59
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FQA65N20是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其额定电压为200V，适合高压环境下的高效能转换和开关操作。
这款MOSFET通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中，能够提供高效的电流传输能力和稳定的性能表现。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：13nC
输入电容：950pF
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQA65N20采用了先进的Trench MOSFET技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，在典型值下仅为140mΩ，这使得器件在大电流应用场景中的功率损耗大幅降低。
2. 快速开关能力，得益于小的栅极电荷Qg（13nC），确保了高频操作时的高效率。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
5. 小巧封装（DPAK或TO-252），便于PCB布局和散热设计。
FQA65N20广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 负载切换及保护电路
6. 工业自动化设备中的功率级控制
该器件因其优异的电气性能和可靠性，在上述应用中表现出色，尤其适合需要高效率和高可靠性的场景。
FQA65N20L
FDP18N20
IRF640
STP65NF20
