IXFX44N60 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高电压和高电流的开关场合。该器件具有高耐压能力、低导通电阻以及快速开关特性,适用于电源转换器、马达控制、逆变器、不间断电源(UPS)和工业自动化设备等领域。IXFX44N60 采用 TO-247 封装形式,确保在高功率运行时具有良好的散热性能。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):44 A
最大漏源电压(VDS):600 V
导通电阻(RDS(on)):0.175 Ω(最大)
栅极电荷(Qg):95 nC(典型)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
IXFX44N60 MOSFET 的主要特性包括高耐压能力(600V)和低导通电阻(RDS(on) 最大为 0.175Ω),使其在高功率应用中具有出色的能效表现。
该器件采用了先进的平面技术,提供了良好的热稳定性和高可靠性,适用于高温环境下的连续运行。
其快速开关能力降低了开关损耗,提高了整体系统的效率,非常适合用于高频开关电路。
此外,IXFX44N60 还具备高雪崩能量耐受能力,可在过载或短路情况下提供更强的保护性能,提高系统的安全性和稳定性。
TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片或冷却系统上,以确保长时间高负载工作的可靠性。
该器件的栅极驱动要求较低,可与标准驱动电路兼容,简化了电路设计和实现。
IXFX44N60 广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业电源、DC-DC 转换器、AC-DC 电源供应器、电机驱动器、逆变器和不间断电源(UPS)系统。
在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中,该 MOSFET 可用于高效的能量转换和管理。
此外,IXFX44N60 也适用于高频感应加热设备、电子镇流器和高功率 LED 驱动器等应用场合。
其高可靠性和耐久性使其成为汽车电子系统中功率控制模块的理想选择,例如电动车辆的充电系统和动力控制系统。
在家电领域,该器件可用于高功率微波炉、电磁炉和其他需要高效率功率开关的设备。
STW44N60W9, FCP44N60, SPW44N60C3