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IXFX32N100P 发布时间 时间:2025/8/6 9:19:22 查看 阅读:12

IXFX32N100P是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件采用TO-247封装形式,具有良好的热性能和高电流承载能力。

参数

类型: MOSFET
  额定电压(Vdss): 1000V
  额定电流(Id): 32A
  导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω
  最大功耗(Pd): 400W
  栅极电荷(Qg): 120nC
  工作温度范围: -55°C 至 150°C

特性

IXFX32N100P具有低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高电压应用,同时具备良好的短路耐受能力。此外,该器件的封装设计有助于有效散热,确保在高功率操作下的可靠性。
  这款MOSFET采用了先进的平面技术,提供了卓越的稳定性和耐用性。它适用于各种工业和消费类电源应用,包括DC-DC转换器、电机控制器和不间断电源系统(UPS)。其快速开关特性也有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。

应用

IXFX32N100P广泛用于高功率电源转换设备,如逆变器、电源供应器、电池充电器以及电机驱动器。此外,它也适用于照明控制系统、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IXFX32N100Q, IXFX38N100P, IXFX44N100P

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IXFX32N100P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C320 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14200pF @ 25V
  • 功率 - 最大960W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件