IXFX32N100P是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件采用TO-247封装形式,具有良好的热性能和高电流承载能力。
类型: MOSFET
额定电压(Vdss): 1000V
额定电流(Id): 32A
导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω
最大功耗(Pd): 400W
栅极电荷(Qg): 120nC
工作温度范围: -55°C 至 150°C
IXFX32N100P具有低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高电压应用,同时具备良好的短路耐受能力。此外,该器件的封装设计有助于有效散热,确保在高功率操作下的可靠性。
这款MOSFET采用了先进的平面技术,提供了卓越的稳定性和耐用性。它适用于各种工业和消费类电源应用,包括DC-DC转换器、电机控制器和不间断电源系统(UPS)。其快速开关特性也有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。
IXFX32N100P广泛用于高功率电源转换设备,如逆变器、电源供应器、电池充电器以及电机驱动器。此外,它也适用于照明控制系统、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率管理模块。
IXFX32N100Q, IXFX38N100P, IXFX44N100P