IXFX27N80Q 时间：2025/8/6 13:11:19 阅读：22

IXFX27N80Q是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。这款MOSFET专为高功率应用设计，具有高电压和高电流处理能力，适用于开关电源、电机控制、照明系统和DC-DC转换器等场合。IXFX27N80Q采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适合工业级应用。该器件的导通电阻较低，能够有效减少导通损耗，提高整体效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：27A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：0.24Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFX27N80Q具备多项优异特性，使其适用于高功率电子系统。首先，其漏源电压高达800V，使得该MOSFET能够在高压环境下稳定运行，适用于电源转换器、逆变器等设备。其次，该器件的导通电阻较低，最大为0.24Ω，在高电流下能够减少导通损耗，提高系统能效。此外，IXFX27N80Q的最大连续漏极电流为27A，在适当的散热条件下可以支持更高功率的负载。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压可达±30V，提高了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件，包括工业自动化、汽车电子和可再生能源系统。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提高可靠性。
　　此外，IXFX27N80Q具备快速开关特性，可支持高频工作模式，从而减小外部滤波元件的尺寸，提高系统的功率密度。其内部结构优化设计减少了开关损耗，有助于提升整体效率。该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行。

应用

IXFX27N80Q广泛应用于高功率电子设备中，包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、LED照明系统以及太阳能逆变器等领域。在电源管理系统中，该器件可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可用于H桥驱动电路，提供精确的电流控制。由于其高耐压和低导通电阻的特性，IXFX27N80Q也适用于高频变换器和隔离式电源模块设计。