时间：2025/9/14 16:21:56
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BUK626R2-40C,118 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高电流处理能力和优异的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：135W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
BUK626R2-40C,118 具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，提供更高的单位面积电流密度，从而实现更高的性能密度。
其次，该器件的高电流处理能力（最大连续漏极电流为60A）使其适用于高功率密度设计。此外，其最大漏源电压为40V，适用于中低压电源转换应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
该MOSFET的封装为TO-220AB，具有良好的热管理性能，能够有效散热并确保在高负载条件下的稳定性。其最大功耗为135W，适合高功率应用。工作温度范围为-55°C至+175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用环境。
此外，该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了设计灵活性，并支持常见的10V和12V驱动电路。它具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提高了系统在异常条件下的稳定性。
总体而言，BUK626R2-40C,118 在性能、热管理和可靠性方面表现出色，是电源转换和电机控制等应用的理想选择。
BUK626R2-40C,118 广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源转换和高功率密度设计的理想选择。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和电机控制器。
BUK627R2-40C,118; BSC060N04LS G; FDD6680; IRF6723; SiSS50DN04
