IXFX26N90 时间：2025/8/6 10:44:37 阅读：24

IXFX26N90 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件设计用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化设备等。IXFX26N90 采用了先进的沟道技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率、高频率工作的电力电子系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　漏极电流（Id）：26 A（Tc=25℃）
　　漏极脉冲电流（Idm）：100 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27 Ω @ Vgs = 10 V
　　功率耗散（Ptot）：420 W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-247

特性

IXFX26N90 具备多项高性能特性，使其适用于高功率应用。其高耐压能力（900V）使其适用于高电压 DC-DC 转换器和电源管理系统。该器件的低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，它具备快速开关能力，适用于高频率开关操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统功率密度。该 MOSFET 还具有较高的热稳定性和过载能力，能够承受短时间的高电流冲击。其 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。IXFX26N90 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　在可靠性方面，IXFX26N90 具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。该器件还采用了先进的制造工艺，确保在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。这些特性使得 IXFX26N90 成为工业电源、电动工具、新能源系统（如光伏逆变器）和高功率 LED 驱动器等应用中的理想选择。

应用

IXFX26N90 主要用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。其典型应用包括高功率开关电源、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。在新能源领域，该器件适用于光伏逆变器和储能系统中的功率开关模块。此外，IXFX26N90 还可用于高功率 LED 驱动器、电焊机、充电器以及电动车相关设备中的电源管理系统。由于其具备高可靠性和良好的热性能，该 MOSFET 也适用于要求长时间稳定运行的工业设备和自动化控制系统。