H5TQ1G83EFR-H9C 时间：2025/9/2 11:27:30 阅读：28

H5TQ1G83EFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM产品系列，广泛应用于需要大容量内存和高速数据处理的电子设备中，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及工业控制设备等。H5TQ1G83EFR-H9C 采用FBGA封装技术，具有良好的散热性能和电气性能，适合在复杂的工作环境下稳定运行。

参数

容量：1Gb
　　组织结构：x8/x16
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　

特性

H5TQ1G83EFR-H9C 具备多项优异特性，首先，其1Gb的存储容量适用于中高端嵌入式设备和便携式电子产品，能够在有限的空间内提供充足的内存资源。其次，该芯片支持x8和x16两种数据宽度模式，提高了其在不同应用场景下的兼容性和灵活性。此外，1.8V的低电压设计不仅降低了功耗，还提升了能效，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　采用FBGA封装技术使得H5TQ1G83EFR-H9C具有良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度PCB布局，并有效减少信号干扰。其54-pin的小型封装形式也便于在紧凑型设备中使用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于多种工业环境，包括高温和低温应用场景。
　　在性能方面，H5TQ1G83EFR-H9C支持高达166MHz的时钟频率，数据访问时间为5.4ns，能够满足对速度要求较高的系统需求。此外，其具备自刷新和自动刷新功能，能够在系统休眠或低功耗模式下有效保持数据完整性，减少系统整体功耗。

应用

H5TQ1G83EFR-H9C 主要应用于嵌入式系统、智能手机、平板电脑、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品中。由于其高性能、低功耗和小封装的特点，特别适合用于需要高密度内存但空间受限的便携设备。例如，在智能手机中，该芯片可作为主内存或缓存，用于临时存储运行中的程序和数据；在工业控制设备中，可作为系统运行内存，支持复杂的数据处理和控制任务；在网络设备中，可用于提升数据转发和缓存处理能力。
　　此外，该芯片也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，能够在较宽的温度范围内稳定运行，满足车载环境对可靠性和性能的严苛要求。