时间：2025/5/12 19:03:00
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GA1206A101FXCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，属于沟槽型 MOSFET 系列。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率、高密度的电源转换应用。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率管理的场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 D2PAK（TO-263），能够提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
型号：GA1206A101FXCBR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：1.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：180W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：D2PAK (TO-263)
GA1206A101FXCBR31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保了高效率和低功耗。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
4. 较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
5. 小巧且高效的 D2PAK 封装，提供更好的热管理和电气连接性能。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
GA1206A101FXCBR31G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类工业电机驱动和控制电路。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统和逆变器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 服务器和通信设备中的高效电源解决方案。
6. LED 驱动器和电子负载调节装置。
GA1206A101FXCBR30G, IRFZ44N, FDP5500
