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IXFX26N120P 发布时间 时间：2023/3/7 14:31:11 查看 阅读：241

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：Polar?

 

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：Polar?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：标准型

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：460 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：1200V (1.2kV)

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：26A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：6.5V @ 1mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：225nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：16000pF @ 25V

    功率 - 最大：960W

    安装类型：通孔

    封装/外壳：PLUS247?-3

    包装：管件

    供应商设备封装：*


资料

厂商
IXYS

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IXFX26N120P产品

IXFX26N120P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 13A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds16000pF @ 25V
  • 功率 - 最大960W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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