您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SXE16VB1200MK20

SXE16VB1200MK20 发布时间 时间:2025/9/9 22:32:55 查看 阅读:11

SXE16VB1200MK20 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率模块,专为高电压和高电流应用设计。该模块属于MOSFET功率模块类别,广泛用于需要高效能功率转换的工业设备中。SXE16VB1200MK20采用先进的功率半导体技术,确保在高频率和高温环境下仍能保持稳定性能。该模块的设计优化了导通和开关损耗,从而提高了整体效率,并降低了散热需求。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电流:160A
  最大漏源电压:1200V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.15Ω
  封装类型:双列直插式(DIP)
  工作温度范围:-40°C至150°C
  栅极电荷:典型值为150nC
  短路耐受能力:支持
  安装类型:通孔安装

特性

SXE16VB1200MK20具有多项优异特性,适用于各种高要求的功率转换应用。其主要特性包括高效能、低导通电阻、高耐压能力和良好的热管理设计。
  首先,该模块采用了先进的功率MOSFET技术,使得导通电阻(Rds(on))非常低,典型值仅为0.15Ω,从而显著降低了导通损耗。这不仅提高了整体效率,还减少了散热需求,使系统设计更加紧凑。
  其次,SXE16VB1200MK20的最大漏源电压为1200V,能够承受高电压应力,适用于高电压应用场景。此外,其最大漏极电流为160A,能够在高电流负载下稳定运行,满足高功率需求。
  该模块的工作温度范围宽达-40°C至150°C,适用于严苛的工业环境。即使在高温条件下,SXE16VB1200MK20也能保持稳定的性能,确保系统的可靠性。其双列直插式(DIP)封装设计也便于安装和维护,同时支持通孔安装,确保良好的机械稳定性和电气连接。
  此外,SXE16VB1200MK20具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下保护模块免受损坏。这种特性对于确保系统的可靠性和安全性至关重要,尤其是在工业设备和电力电子系统中。
  最后,该模块的栅极电荷较低,典型值为150nC,有助于减少开关损耗,从而提高整体效率。这对于高频开关应用尤为重要,因为它能够减少能量损耗,提高系统效率,并降低电磁干扰(EMI)的影响。

应用

SXE16VB1200MK20功率模块广泛应用于多个领域,包括工业电源、电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备。
  在工业电源领域,SXE16VB1200MK20常用于高功率电源转换器和UPS(不间断电源)系统。其高效能和低导通电阻特性使其成为理想的功率开关器件,能够提高电源转换效率并减少散热需求。
  在电机驱动方面,SXE16VB1200MK20可用于高性能变频器和伺服驱动器。其高耐压能力和大电流承载能力使其能够在高负载条件下稳定运行,满足工业自动化设备对高可靠性和高效能的需求。
  在可再生能源系统中,SXE16VB1200MK20常用于太阳能逆变器和风力发电变流器。其低导通损耗和高耐压能力使其成为高效的功率转换器件,能够提高能源转换效率并延长系统寿命。
  此外,该模块也适用于电动汽车充电设备,如快速充电站和车载充电器。其高耐压和大电流能力使其能够承受高功率充电需求,同时其良好的热管理和短路保护能力确保了系统的安全性和可靠性。

替代型号

SXE16VB1200MK20-T, SXE16VB1200MK20-TR, SXE16VB1200MK20-E

SXE16VB1200MK20推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价