时间：2025/8/6 8:55:32
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IXFX26N100P是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高电压和高电流特性，适用于高功率应用。该器件采用TO-264封装，具备良好的热性能和高耐压能力。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：1000V
漏极-栅极电压（Vdg）：1000V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：26A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55℃至+150℃
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：92nC（典型值）
IXFX26N100P具有出色的开关性能和低导通电阻，使其在高电压和高电流环境下仍能保持高效运行。其TO-264封装设计有助于快速散热，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有高耐压能力和较强的抗浪涌电流能力，适合用于开关电源、逆变器、马达控制和工业自动化等应用。其栅极驱动要求较低，可通过标准驱动电路进行控制，简化了电路设计。
该器件还具备良好的稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持性能稳定。其高dv/dt耐受能力有助于减少开关损耗和电磁干扰。此外，IXFX26N100P还具备低漏电流特性，有助于降低待机功耗，提高整体系统效率。
IXFX26N100P广泛应用于高电压和高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和照明控制系统。该器件也适用于高压负载开关、电池管理系统和新能源系统中的功率控制环节。此外，IXFX26N100P还可用于高频功率变换器和工业电机控制设备，提供高效、稳定的功率开关解决方案。
STF26NM60ND, FCP26N60S3, IRFP460LC
