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IXFX24N100F 发布时间 时间:2025/8/6 8:03:10 查看 阅读:28

IXFX24N100F 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。IXFX24N100F 通常用于电源转换器、电机控制、不间断电源(UPS)、逆变器以及各种工业和消费类电子产品中。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流 (Id):24A
  漏源极击穿电压 (Vds):100V
  栅源极击穿电压 (Vgs):±20V
  导通电阻 (Rds(on)):典型值为 0.055Ω
  功耗 (Ptot):250W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFX24N100F 具有多个关键特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其次,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力,能够处理高达 24A 的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,其高击穿电压(100V)确保了在高压环境下的稳定运行。
  IXFX24N100F 还具备出色的热稳定性,在高负载条件下仍能保持良好的散热性能,从而延长器件的使用寿命。该器件的快速开关特性减少了开关损耗,并提高了高频应用中的性能。此外,该 MOSFET 的封装形式(TO-247)便于安装和散热管理,适用于多种电路设计。
  由于采用了先进的平面 DMOS 技术,IXFX24N100F 在高频应用中表现出色,适用于诸如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器等应用场景。其高栅极电荷(Qg)值意味着在高频开关时需要较高的驱动功率,因此在选择驱动电路时需特别注意。

应用

IXFX24N100F 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、UPS 系统、电机控制、电池充电器、照明系统(如 LED 驱动器)以及工业自动化设备。在这些应用中,该 MOSFET 能够提供高效的功率转换和可靠的性能。此外,它还适用于汽车电子系统、太阳能逆变器和储能系统等新兴领域。

替代型号

IXFH24N100P, IXFN24N100P, IRFP460LC, STP24N10F

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IXFX24N100F参数

  • 制造商IXYS
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压1000 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流24 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.39 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体PLUS 247
  • 封装Tube
  • 下降时间11 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散560 W
  • 上升时间18 ns
  • 工厂包装数量30
  • 典型关闭延迟时间52 ns