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IXFX240N15T2 发布时间 时间:2025/8/6 10:56:14 查看 阅读:27

IXFX240N15T2是一款由IXYS公司制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率、高频的电源转换应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术,提供了较低的导通电阻和高效的开关性能,能够在高电流和高电压环境下稳定工作。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  连续漏极电流(Id):240A
  导通电阻(Rds(on)):约4.8mΩ
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXFX240N15T2具备出色的电气性能和热稳定性。其导通电阻非常低,减少了在导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统效率。该器件采用了先进的平面MOSFET技术,确保了在高频开关应用中的性能稳定性。此外,它具有较高的雪崩能量承受能力,使其能够在恶劣的工作条件下保持可靠性。TO-247封装设计提供了良好的热管理和电气隔离,适用于需要高功率密度的设计。
  此外,IXFX240N15T2具有较快的开关速度,这使其适用于需要快速切换的电源转换器,如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其封装设计也便于安装和散热管理,适合在高功率密度和高可靠性要求的应用中使用。

应用

IXFX240N15T2广泛应用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、UPS系统、电机驱动器以及各类高功率开关电源中。其高效能和高可靠性使其成为设计高性能电源系统的理想选择。

替代型号

IXFX240N15P, IXFX240N15T

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IXFX240N15T2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列GigaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C240A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs460nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds32000pF @ 25V
  • 功率 - 最大1250W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件