IXFX180N06 时间：2025/8/5 17:34:32 阅读：29

IXFX180N06 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高功率应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，广泛应用于工业电机驱动、电源转换、电动车控制器、不间断电源（UPS）以及各种高功率电子系统中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：180A（在 TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：约 2.5mΩ（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-263（表面贴装）或 TO-220（通孔）

特性

IXFX180N06 采用先进的功率 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件具有高电流承载能力，在持续工作条件下可承受高达 180A 的漏极电流，适用于需要大电流输出的功率系统。
　　此外，IXFX180N06 具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持标准的 10V 驱动电压，也可在更高的栅极电压下工作以进一步降低导通电阻。
　　该 MOSFET 内部结构设计优化，具备较低的开关损耗，适合高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统等。同时，其封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作时的可靠性。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的瞬态过压冲击，增强了系统的稳定性和抗干扰能力。