AP6680BGM-HF 时间：2025/7/25 22:00:01 阅读：15

AP6680BGM-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性，适合高频开关应用。AP6680BGM-HF 采用绿色模塑料封装，符合 RoHS 标准，并且无卤素，适用于环保要求较高的电子产品。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：110A（Tc）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.6mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.6mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

AP6680BGM-HF 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在 10V 栅极驱动条件下，RDS(on) 仅为 3.6mΩ，而在较低的 4.5V 驱动电压下，RDS(on) 为 4.6mΩ，适用于多种栅极驱动电路设计。
　　此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，提高了电流处理能力和热稳定性。器件的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），具有良好的热性能，能够有效地将热量传导到 PCB 上，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　AP6680BGM-HF 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用。该器件的栅极氧化层设计也增强了其在高频率开关应用中的稳定性，减少了栅极漏电流的可能性。
　　为了满足环保标准，AP6680BGM-HF 使用了无卤素材料，并且符合 RoHS 和 REACH 等国际环保法规的要求。因此，它适用于消费电子、工业自动化、通信设备等对环保要求较高的应用场景。

应用

AP6680BGM-HF 主要应用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子系统中。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统、服务器和电信设备电源模块、电动工具和电池供电设备中的功率控制电路。
　　在同步整流器中，AP6680BGM-HF 可以替代传统的肖特基二极管，显著降低导通压降和功率损耗，从而提高整体转换效率。在 DC-DC 转换器中，该器件适用于高频开关操作，能够有效减少外部元件数量并提高系统集成度。
　　此外，AP6680BGM-HF 也适用于高电流负载开关应用，例如用于控制电池供电设备中的电源分配。其低导通电阻特性使得在大电流条件下仍能保持较低的功耗，从而延长电池使用寿命。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，该 MOSFET 也广泛用于服务器和通信设备的电源模块中，以确保在高负载条件下仍能稳定运行。