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IXFV26N60P 发布时间 时间：2024/9/23 13:44:33 查看 阅读：113

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参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：PolarHV?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：270毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：600V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：26A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：72nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：4150pF 25V
　　功率-最大：460W

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：PLUS-220
　　包装：管件

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IXFV26N60P参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4150pF @ 25V
  • 功率 - 最大460W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3（SMT）标片
  • 供应商设备封装PLUS220
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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