时间：2025/8/5 15:13:20
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IXFV110N25T 是由 IXYS 公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器、逆变器和高功率开关电路等场景。该器件采用 TO-263 封装（也称为 D2Pak），具有良好的热性能和高电流承载能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：250 V
栅源电压 Vgs：±30 V
连续漏极电流 Id（@25°C）：110 A
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：典型值 11 mΩ
最大功率耗散 Pd：310 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：TO-263 (D2Pak)
IXFV110N25T 采用先进的沟槽栅技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其高电流容量和良好的热管理特性使其适用于高功率密度设计。该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过压和过流情况，提高了系统的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V~20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到各种功率系统中。TO-263 封装结构提供了良好的散热性能，适合在高温环境下工作。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的体积和重量，提升整体系统性能。其高耐压特性也使其适用于高压电源转换系统，如太阳能逆变器、电动汽车充电器、工业电机驱动等应用场景。
IXFV110N25T 广泛应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、电焊机、电池管理系统（BMS）以及电动汽车相关设备等。其高电流能力和低导通电阻特性使其在需要高效能功率转换的场合中表现尤为突出。
IXFN110N25T, IRFP4668, SiR110N25, STP110N250M5
