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GA0402Y221JXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 19:02:39 查看 阅读:21

GA0402Y221JXBAP31G 是一款由知名半导体厂商推出的高性能功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,具备低导通电阻和高效率的特性,能够显著降低功耗并提高系统性能。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,封装形式为行业标准的表面贴装类型(如SOP8等),适合自动化生产需求。它具有出色的热特性和电气稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0402Y221JXBAP31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 内置ESD保护功能,增强了芯片的可靠性和抗干扰能力。
  4. 出色的热稳定性和散热性能,可适应严苛的工作环境。
  5. 符合RoHS环保标准,确保绿色生产与使用。
  6. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时满足现代电子设备对紧凑设计的需求。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
  3. 汽车电子系统的负载切换。
  4. 工业控制中的继电器替代方案。
  5. 通信电源和适配器的设计。
  6. 各类便携式设备中的高效电源管理模块。

替代型号

IRF740,
  FDP5500,
  AO3400,
  Si4470DY

GA0402Y221JXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-