时间：2025/8/5 23:50:35
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IXFT80N65X2HV是一款由英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能功率MOSFET器件，属于OptiMOS?系列。该系列器件以低导通电阻（RDS(on)）、高效率和卓越的热性能而闻名，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、服务器电源、电信设备以及各种工业自动化和消费电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）@25°C：80A
导通电阻（RDS(on)）：最大值27mΩ（典型值21mΩ），在VGS=10V时
栅极电荷（Qg）：约90nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、TO-247等
栅极电压（VGS）：最大±20V
漏极电流（脉冲）：320A
功率耗散（PD）：300W（TO-247封装）
封装热阻（Rth）：约0.41°C/W（结到外壳）
IXFT80N65X2HV具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了英飞凌先进的封装技术，确保了良好的散热性能，即使在高负载条件下也能保持稳定工作。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性和稳定性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至15V之间的驱动电压，适用于多种栅极驱动电路。同时，其较低的栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，从而提升整体效率。此外，IXFT80N65X2HV具有良好的短路耐受能力，可以在极端条件下提供更长的使用寿命。
该MOSFET还具备出色的抗静电（ESD）性能，能够承受高达2000V的人体模型（HBM）静电放电，从而在生产、运输和实际使用过程中提供更可靠的保护。此外，该器件符合RoHS标准，采用无铅封装，满足环保要求。
IXFT80N65X2HV适用于多种高功率密度和高效率的电力电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、电池管理系统、电动车辆充电系统、工业电机驱动、DC-DC转换器以及各种高功率负载开关电路。其高电流能力、低导通电阻和出色的热管理性能使其成为高效能电源转换和功率控制的理想选择。
IPW65R027C7
SPW80N65CFD7
STF80N65M5
TK80E65W
