时间：2025/8/5 21:01:03
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IXFT68N20是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高电压的应用。该器件采用了先进的平面技术，具备出色的热性能和高可靠性的特点。IXFT68N20的设计使其适用于多种高功率开关应用，例如电源转换器、电机控制、工业自动化设备以及新能源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200V
最大漏极电流（Id）：68A
导通电阻（Rds(on)）：43mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：160nC
最大功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IXFT68N20具有低导通电阻，能够在高电流条件下提供较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的击穿电压（200V），能够在高压环境中稳定工作。
其先进的平面技术确保了良好的热管理和较高的热稳定性，延长了器件的使用寿命。IXFT68N20还具有快速开关能力，适用于高频开关电路，能够有效减少开关损耗并提高响应速度。
为了进一步提高可靠性，IXFT68N20内置了过热保护和过流保护功能，能够有效防止因异常工作条件导致的器件损坏。此外，该器件的封装设计优化了散热性能，使其在高功率应用中保持良好的温度控制。
IXFT68N20适用于多种高功率电子设备，包括DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。在新能源领域，该器件可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。此外，IXFT68N20还广泛应用于电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）以及高功率LED照明系统。由于其出色的电气性能和可靠性，该器件也适合用于航空航天和军事电子设备中的关键电源管理电路。
IXFH68N20P, IXFK68N20P, IRFP4668
