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IXFT60N25Q 发布时间 时间:2025/12/26 20:43:48 查看 阅读:9

IXFT60N25Q是一款由Littelfuse公司生产的高功率、高压沟道场效应晶体管(MOSFET),专为在高频开关应用中实现高效能而设计。该器件采用先进的平面栅极硅技术,具有优异的导通电阻和开关性能,适用于需要高耐压和大电流能力的工业电源系统。IXFT60N25Q的漏源击穿电压高达250V,连续漏极电流可达60A,使其非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及电焊机等高功率密度应用。该MOSFET封装于TO-247全塑封装中,具备良好的热传导性能,能够有效散热,提升系统可靠性。此外,其内部结构经过优化,降低了寄生参数,有助于减少开关损耗并提高整体效率。IXFT60N25Q还具备较强的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计,能够在严苛的工作环境下稳定运行,适合工业级温度范围(-55°C至+175°C)使用。由于其出色的电气特性和稳健的设计,IXFT60N25Q被广泛应用于电信电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器及电动汽车充电设备等领域。
  该器件符合RoHS环保标准,并通过了严格的可靠性测试,确保长期工作稳定性。其低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性使得驱动电路设计更加简单,减少了驱动功耗,进一步提升了系统的能效表现。同时,IXFT60N25Q具备快速体二极管恢复能力,在硬开关拓扑中表现出色,能够有效抑制电压尖峰,降低电磁干扰(EMI)。工程师在使用该器件时应注意适当的PCB布局与散热设计,以充分发挥其性能优势,并避免因热积累导致的器件退化或失效。

参数

型号:IXFT60N25Q
  制造商:Littelfuse
  封装类型:TO-247
  最大漏源电压(Vds):250V
  最大漏极电流(Id):60A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):33mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):4.0V(最小),6.0V(最大)
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大功耗(Pd):309W
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  输入电容(Ciss):5300pF(典型值,@Vds=25V)
  输出电容(Coss):850pF(典型值,@Vds=25V)
  反向恢复时间(trr):55ns(典型值)
  栅极电荷(Qg):180nC(典型值,@Vds=250V)

特性

IXFT60N25Q具备多项关键特性,使其在高功率开关应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为33mΩ,在高电流条件下显著降低了导通损耗,提高了系统效率。这对于大功率DC-DC转换器和逆变器尤为重要,因为这些应用对能量转换效率要求极高。其次,该器件具有较高的电流处理能力,连续漏极电流可达60A,脉冲电流能力更强,适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景。此外,其250V的高击穿电压确保了在高压母线系统中的安全裕度,可用于工业电机控制和焊接设备中常见的电压波动环境。
  另一个重要特性是其优化的开关性能。IXFT60N25Q的栅极电荷(Qg)较低,典型值为180nC,这减少了驱动电路所需的能量,简化了驱动器设计,并降低了开关过程中的动态损耗。同时,其输入和输出电容(Ciss和Coss)经过精心设计,平衡了开关速度与EMI之间的关系,有助于实现更快的上升/下降时间而不引发严重的电磁干扰问题。该器件还具备快速体二极管反向恢复能力(trr = 55ns),在硬开关拓扑如半桥或全桥电路中可有效减少反向恢复电流尖峰,从而降低开关节点的电压振铃现象,提升系统可靠性。
  从可靠性角度看,IXFT60N25Q具有卓越的热稳定性,支持高达+175°C的最大结温,可在高温工业环境中长期运行。其TO-247封装提供了优良的热传导路径,便于安装散热器以维持安全工作温度。此外,该器件经过严格测试,具备较强的抗雪崩能力,能够在意外过压事件中承受一定的能量冲击而不损坏,增强了系统的鲁棒性。最后,其符合RoHS标准且不含卤素,满足现代绿色电子产品的环保要求,适用于全球范围内的工业与能源系统设计。

应用

IXFT60N25Q广泛应用于多种高功率电子系统中,尤其适用于需要高效、高压和大电流切换能力的场合。在工业电源领域,它常用于大功率AC-DC和DC-DC转换器中,作为主开关元件,提供稳定的能量转换效率。例如,在通信基站电源、服务器电源模块中,IXFT60N25Q凭借其低导通损耗和高开关频率适应性,能够显著提升整机能效。在太阳能光伏逆变器中,该器件用于直流侧斩波或MPPT(最大功率点跟踪)电路,实现高效的太阳能能量采集与转换。
  此外,IXFT60N25Q也广泛应用于电机驱动系统,包括工业电机控制器、电动工具和家电变频器。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够精确控制电机转速与扭矩,提升系统响应速度与运行平稳性。在电焊机电源中,该MOSFET用于构建高频逆变电路,将工频交流电转换为高频高压输出,从而提高焊接精度与热效率。
  在新能源汽车相关设备中,IXFT60N25Q可用于车载充电机(OBC)或充电桩的辅助电源模块,支持宽输入电压范围下的稳定工作。同时,它也适用于不间断电源(UPS)系统中的DC-AC逆变级,确保市电中断时负载的持续供电。由于其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围,该器件同样适合恶劣环境下的户外设备使用,如风力发电控制系统、铁路牵引电源等。总之,IXFT60N25Q凭借其高性能与高可靠性,成为众多高端电力电子系统中的核心开关器件。

替代型号

IXFN60N25Q
  IXTH60N25Q
  IRFP4668

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IXFT60N25Q参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C47 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件