类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET-单
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点:标准型
开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:40毫欧 500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流-连续漏极(Id) 25°C:58A
Id时的Vgs(th)(最大):4V 4mA
闸电荷(Qg) Vgs:140nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss):3600pF 25V
功率-最大:300W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-268
包装:管件