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IXFT58N20Q 发布时间 时间：2024/9/24 10:45:46 查看 阅读：353

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参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：HiPerFET?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：40毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：200V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：58A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：140nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：3600pF 25V
　　功率-最大：300W

封装参数

安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：TO-268
　　包装：管件

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IXFT58N20Q参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C58A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 29A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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