时间：2025/8/6 2:16:40
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IXFT50N85XHV是一款由IXYS公司制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET，专为高电压、高电流应用设计。该器件采用了先进的高压技术，能够在高达850V的工作电压下提供优异的导通和开关性能。IXFT50N85XHV广泛应用于电源转换器、电机驱动、工业自动化设备和可再生能源系统等领域，适用于需要高效能和高可靠性的场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：850V
最大漏极电流(Id)：50A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.16Ω（最大）
栅极电荷(Qg)：120nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247AC
最大功率耗散(Pd)：310W
IXFT50N85XHV具有多项先进特性，确保其在高压和高功率环境下稳定运行。首先，其850V的高漏源电压额定值使其适用于高压直流电源、太阳能逆变器等高电压应用场景。其次，该MOSFET的导通电阻低至0.16Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，在25°C条件下可承受50A的连续漏极电流，满足高功率需求。IXFT50N85XHV还具备良好的热稳定性，采用TO-247AC封装，具有优良的散热性能，确保在高温环境下的可靠运行。栅极电荷为120nC，支持较快的开关速度，从而减少开关损耗。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于多种极端环境条件下的应用。
IXFT50N85XHV广泛应用于多个高性能功率电子系统中。例如，在工业电源和开关电源(SMPS)中，该MOSFET可用于高电压直流-直流转换器和高效率逆变器。此外，它还可用于电机控制和驱动器系统，提供稳定的高电流输出。在新能源领域，IXFT50N85XHV是太阳能逆变器和储能系统中理想的功率开关器件。同时，该器件也可用于电动汽车充电设备、不间断电源(UPS)以及各种高电压工业控制设备中。
IXFH50N85X2
IXFN50N85X
