时间：2025/8/6 8:25:01
阅读：31
IXFT26N50 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压和高电流的开关应用，具有低导通电阻和优异的热性能，适合用于电源管理和功率转换电路中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：26A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
最大功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFT26N50 具有低导通电阻（Rds(on)），能够显著减少导通损耗，提高系统的整体效率。其高电压和高电流处理能力使其非常适合用于高功率应用。
该器件的 TO-247 封装形式提供了良好的热管理和散热性能，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业应用。
IXFT26N50 还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，从而提高电源转换器的效率。此外，其栅极驱动特性简单，适合与多种控制器和驱动电路配合使用。
该 MOSFET 的高耐用性和热稳定性使其在苛刻的工作环境下依然能够保持稳定性能。
IXFT26N50 常用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器和电池充电器。在工业自动化设备中，它被用于高电压和高电流的开关控制。在新能源领域，例如太阳能逆变器和风能转换系统中，该器件也广泛使用。此外，IXFT26N50 还适用于需要高效能功率管理的汽车电子系统。
IXFH26N50P, IRF260N, STW26NM50ND
