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IXFT24N50 发布时间 时间:2025/3/25 14:05:07 查看 阅读:4

IXFT24N50是英飞凌(Infineon)推出的一款高压MOSFET,属于其TRENCHSTOP?系列。该器件采用N沟道增强型结构设计,广泛应用于高电压和大功率场景中。IXFT24N50的主要特点是低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适合于开关电源(SMPS)、电机驱动器、工业逆变器和其他电力电子应用领域。
  该器件通过优化的单元设计和制造工艺,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换能力,并且具有良好的雪崩能力和可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:130mΩ
  栅极电荷:48nC
  输入电容:1100pF
  开关时间:ton=75ns, toff=50ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. IXFT24N50采用了先进的TRENCHSTOP?技术,这种技术能够显著降低导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能使得该器件非常适合高频应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
  3. 出色的热稳定性和鲁棒性使其能够在恶劣环境下长时间运行,同时支持较高的结温。
  4. 内置ESD保护功能增强了器件在实际使用中的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 工业控制领域中的电机驱动电路。
  3. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率转换模块。
  4. 用于电动车充电站或车载充电器的高频整流和逆变。
  5. 各种大功率LED驱动电路中的关键组件。

替代型号

IXFN24N50, IRFP460, STP24NF50

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IXFT24N50参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4200pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件