IXFT24N50是英飞凌(Infineon)推出的一款高压MOSFET,属于其TRENCHSTOP?系列。该器件采用N沟道增强型结构设计,广泛应用于高电压和大功率场景中。IXFT24N50的主要特点是低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适合于开关电源(SMPS)、电机驱动器、工业逆变器和其他电力电子应用领域。
该器件通过优化的单元设计和制造工艺,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换能力,并且具有良好的雪崩能力和可靠性。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:16A
导通电阻:130mΩ
栅极电荷:48nC
输入电容:1100pF
开关时间:ton=75ns, toff=50ns
结温范围:-55℃至+175℃
1. IXFT24N50采用了先进的TRENCHSTOP?技术,这种技术能够显著降低导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能使得该器件非常适合高频应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 出色的热稳定性和鲁棒性使其能够在恶劣环境下长时间运行,同时支持较高的结温。
4. 内置ESD保护功能增强了器件在实际使用中的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 工业控制领域中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 用于电动车充电站或车载充电器的高频整流和逆变。
5. 各种大功率LED驱动电路中的关键组件。
IXFN24N50, IRFP460, STP24NF50