时间：2025/8/6 0:12:17
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IXFT170N25X3HV是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电机控制等高功率转换系统。其封装设计优化了热管理和电气性能，以确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：170A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值10.5mΩ（典型值8.5mΩ）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约4.5V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：500W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXFT170N25X3HV具备多项优良特性。首先，它的导通电阻非常低，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，使其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提升整体性能。此外，其高电流承载能力和耐高压能力使其适用于严苛的电力电子环境。
该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会发生性能下降。封装设计上，它采用了TO-247PLUS或类似的大功率封装，散热性能优异，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
此外，IXFT170N25X3HV具备较强的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在突发故障情况下提供更高的系统安全性。
该MOSFET广泛应用于高功率、高频率的电力电子系统中，例如：
? 高效工业电源和不间断电源（UPS）
? 太阳能逆变器和储能系统
? 电动汽车充电桩和车载充电系统
? 电机驱动和变频器控制系统
? 电源管理模块和DC-DC转换器
SiC MOSFET如Cree/C2M0080120D或Infineon/IMZA65R048M1H；
传统硅MOSFET如STMicroelectronics/STB170N250M5或ON Semiconductor/NTB170N25CLFTG
