时间：2025/8/5 15:53:16
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IXFT15N100Q3-TRL是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高频率开关应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，非常适合用于电源转换器、DC-DC变换器、马达控制和工业自动化设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：1000V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
IXFT15N100Q3-TRL具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高漏源电压（1000V）使其能够适应高压环境，适用于工业电源和高电压转换应用。其次，该MOSFET的导通电阻低至0.42Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，器件具备快速开关能力，适用于高频开关电路，从而减小外部滤波器元件的尺寸并提高系统响应速度。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和高可靠性，在高温环境下仍能保持稳定运行。TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还增强了器件的机械强度，适用于恶劣工业环境。另外，其栅极驱动电压范围较宽（2.1V至4.0V），可与多种控制电路兼容，提升了设计灵活性。
IXFT15N100Q3-TRL广泛应用于多个高电压和高效率要求的领域，包括电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、电动车充电系统以及LED照明驱动电路等需要高效能功率管理的场合。
IXFT15N100P3-TRL， IXFH15N100Q3， STF15N100M2
