时间：2025/8/6 8:35:15
阅读：27
IXFT12N50F 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-264 封装，具备高耐压、低导通电阻和优良的热性能，适用于电源转换器、DC-AC 逆变器、电机驱动以及各种工业控制设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：12A
最大导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：47nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-264
IXFT12N50F 具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动要求较低，适合与标准驱动电路配合使用。
此外，该 MOSFET 的热阻较低，有助于提高在高功率密度应用中的可靠性。其高雪崩能量耐受能力也增强了在恶劣工作环境下的稳定性。
IXFT12N50F 采用先进的平面技术制造，具有良好的短路和过载保护能力，适用于需要高可靠性的工业和电源管理系统。
IXFT12N50F 主要应用于各类电源设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、工业电机控制、电池充电器以及照明镇流器等。
由于其高耐压和良好的导通特性，该器件也非常适合用于高效率功率因数校正（PFC）电路中。
此外，IXFT12N50F 还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动车充电模块中，提供稳定的功率开关性能。
STF12N50M, FDPF12N50, IRFP460LC
