时间：2025/8/5 21:44:23
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IXFR9N80Q 是一款由 IXYS 公司设计和制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。该器件采用 TO-220 封装形式，具备良好的热管理和可靠性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
连续漏极电流（ID）：9A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：1.1Ω（最大值）
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
IXFR9N80Q 以其高耐压和高电流处理能力著称，适用于多种高功率应用场景。该器件的导通电阻较低，能够在高电流工作条件下减少功率损耗，提高系统效率。其栅极驱动电压范围宽，允许使用多种驱动电路进行控制，增强了设计的灵活性。TO-220 封装形式确保了良好的散热性能，提高了器件在高温环境下的可靠性。此外，IXFR9N80Q 具备出色的短路耐受能力和高雪崩能量承受能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
IXFR9N80Q 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备等需要高效功率转换和控制的场合。其高耐压和高可靠性使其在高压电源转换系统中表现出色。
IXFR9N80, IRF9N80, FQA9N80
