时间：2025/8/5 17:46:57
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IXFR75N10Q 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高性能功率转换和控制应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下工作，具备良好的热稳定性和导通性能。IXFR75N10Q 采用 TO-220 封装，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等应用。
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏-源极电压（VDS）：100V
最大栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值约 11.5mΩ（典型值在 9mΩ 左右）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
栅极电荷（Qg）：约 170nC（典型值）
功耗（PD）：约 250W
IXFR75N10Q 是一款高性能功率 MOSFET，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而在高电流条件下减少功率损耗和发热。其采用先进的沟槽式技术，提高器件的导通能力和稳定性。该器件具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。此外，IXFR75N10Q 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，允许直接由微控制器或其他数字电路驱动，提高了设计的灵活性和便利性。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，适合在多种电路设计中使用。IXFR75N10Q 在高频开关应用中表现优异，适用于高效能 DC-DC 转换器和马达驱动器等应用。
IXFR75N10Q 主要应用于高性能功率电子设备，包括开关电源、DC-DC 转换器、UPS 不间断电源、马达控制、逆变器和电池管理系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在电动工具、工业自动化、太阳能逆变器以及电动车驱动系统中也有广泛应用。
IRF75N10Q, STP75NF7F, FDP75N10, IPW75N10S
