型号：IXFR64N50P
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　漏极电流(Id)@TC=25°C：64A
　　漏极电流(Id)@TC=100°C：40A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：0.085Ω（最大值）
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V,Id=32A：典型值约为0.065Ω
　　阈值电压(Vgs(th))：4.0V ~ 6.0V
　　输入电容(Ciss)：5000pF @ Vds=250V, Vgs=0V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：1100pF @ Vds=250V, Vgs=0V, f=1MHz
　　反向恢复时间(trr)：55ns
　　最大功耗(Pd)：300W @ TC=25°C
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247AC

IXFR64N50P具备多项关键特性，使其在高功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提升了系统整体能效，尤其是在大电流应用场景下表现尤为突出。例如，在64A的额定电流下，其最大Rds(on)仅为85mΩ，意味着在满载条件下产生的热量相对较少，有助于简化散热设计并提高系统可靠性。
　　其次，该器件采用了优化的平面栅极工艺，实现了快速的开关响应能力。这不仅减少了开关过程中的交越损耗，还允许其在高频开关电路中稳定运行，适用于现代高效开关电源的设计需求。同时，较低的栅极电荷（Qg）进一步增强了其高频性能，减少了驱动电路所需的能量，从而降低驱动损耗并提升整体效率。
　　再者，IXFR64N50P具备出色的热稳定性与长期可靠性。其TO-247封装具有优异的热传导性能，能够有效将芯片内部产生的热量传递至外部散热器，防止因温度过高而导致性能下降或器件损坏。此外，该器件可在高达+150°C的结温下持续工作，适应高温工业环境的应用要求。
　　另一个显著特点是其强大的抗雪崩能力和坚固的结构设计。在突发的电压尖峰或感性负载关断过程中，器件能够承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，这对于电机驱动和逆变器等存在高瞬态电压的应用至关重要。这种内在的鲁棒性减少了对外部保护电路的依赖，降低了系统复杂性和成本。
　　最后，该MOSFET还具备良好的一致性与可重复性，适合批量生产中的自动化装配流程，并且符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造趋势。

IXFR64N50P广泛应用于多个高功率电子系统领域。在工业控制方面，它常用于交流电机驱动器和伺服控制系统中作为主开关元件，利用其高耐压和大电流承载能力实现精确的功率调节。
　　在能源转换系统中，如不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能发电系统中，该器件被用作DC-AC或DC-DC变换的核心开关管，凭借其高效的导通特性和快速的开关响应，显著提升转换效率并减少能量损耗。
　　此外，在各类开关模式电源（SMPS）中，特别是高功率服务器电源、电信电源模块中，IXFR64N50P因其稳定的电气性能和良好的热管理特性而受到青睐，能够支持宽输入电压范围下的高效运行。
　　在照明领域，该MOSFET可用于大功率电子镇流器或LED驱动电源中，驱动高压气体放电灯或高亮度LED阵列，确保长时间稳定发光。
　　在电动汽车充电设备、感应加热装置以及电焊机等高功率密度设备中，IXFR64N50P也发挥着重要作用，其高可靠性和抗干扰能力保障了设备在恶劣电磁环境下的正常运行。这些多样化的应用场景充分体现了该器件在现代电力电子系统中的核心地位。

IRFP4668PBF
　　STW64N50M2
　　FQP64N50