RF3234TR13-3K 时间：2025/8/15 17:46:44 阅读：20

RF3234TR13-3K 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术类别。该器件专为高频、高功率应用设计，广泛用于通信设备、工业系统和射频放大器中。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：2GHz - 4GHz
　　输出功率：30W（典型值）
　　增益：20dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　漏极电压（VD）：28V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：表面贴装（SMT），具体为3K封装
　　阻抗匹配：50Ω输入，50Ω输出
　　封装尺寸：符合JEDEC标准

特性

RF3234TR13-3K具有多项卓越特性，适用于高要求的射频功率放大应用场景。其LDMOS结构提供较高的线性度和稳定性，适用于需要宽频带操作的系统。该器件在2GHz至4GHz的频率范围内表现优异，适合Wi-Fi 6E、5G通信、毫米波雷达以及工业测试设备等高频应用。由于其高增益（20dB）和高效能（40%），RF3234TR13-3K能够在较小的封装中提供足够的输出功率（30W），同时保持较低的热量损耗，从而提高系统整体能效。
　　此外，该器件的表面贴装封装（3K）支持自动化装配，提高了生产效率并降低了制造成本。其工作温度范围从-40°C到+150°C，适应多种工作环境，确保在极端条件下的稳定运行。该晶体管的输入和输出阻抗匹配为50Ω，简化了与外围电路的连接，减少了信号反射和损耗。同时，28V的漏极电压设计使得其兼容常见的射频电源供应方案，适用于多种射频功率放大器的设计。