类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET-单
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点:标准型
开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:240毫欧 19A,10V
漏极至源极电压(Vdss):800V
电流-连续漏极(Id) 25°C:28A
Id时的Vgs(th)(最大):4.5V 8mA
闸电荷(Qg) Vgs:190nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss):8340pF 25V
功率-最大:416W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS247?
包装:管件