时间：2023/11/28 17:20:20
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17 毫欧 @ 60A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：105A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：360nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：9100pF @ 25V
功率 - 最大：400W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件
