时间：2025/8/6 5:21:44
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IXFR100N25P 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高功率密度和高效能设计，适用于多种工业和汽车应用。作为N沟道增强型MOSFET，IXFR100N25P在导通状态下的电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的技术，以确保在高温和高电流条件下依然保持良好的性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
漏源击穿电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.018Ω
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
最大功率耗散：250W
IXFR100N25P的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其TO-263（D2PAK）封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和焊接。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，这使得它在不同的驱动条件下都能保持良好的性能。IXFR100N25P还具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，能够有效减少能量损耗并提高系统的响应速度。
在可靠性方面，IXFR100N25P采用了先进的制造工艺和技术，确保其在高温环境下的稳定运行。其工作温度范围从-55°C到175°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。此外，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持不损坏。
IXFR100N25P广泛应用于需要高功率和高效率的场合。常见的应用包括电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备。由于其优异的电气性能和可靠性，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如电动汽车（EV）充电系统、车载逆变器和车身控制系统。
在电源管理领域，IXFR100N25P可用于设计高效的同步整流器和负载开关，以提高电源转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可用于构建H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，其高电流能力和低导通电阻也使其成为高性能电池充电器和放电保护电路的理想选择。
IPW100N25CPA, STP100N250K5, FDPF100N25AS
