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IRL7472L1TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 13:47:23 查看 阅读:5

IRL7472L1TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的双通道 N 沇道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理和电机驱动应用。
  这款 MOSFET 集成了两个独立的 N 沇道晶体管,能够在高频条件下实现高效的功率转换。其出色的性能使其成为消费电子、工业控制和通信设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:单通道 15A,总电流 30A
  导通电阻(Rds(on)):典型值 4.6mΩ(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:典型值 10nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:SO-8
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRL7472L1TRPBF 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 紧凑的 SO-8 封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  4. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 双通道结构简化了多相位或双负载应用的设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接加工。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制电路。
  3. 电机驱动器中的 H 桥和半桥配置。
  4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  5. 消费电子产品中的负载切换和电源管理。
  6. 电信设备中的高效功率分配网络。

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IRL7472PBF, IRL7472TRPBF

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IRL7472L1TRPBF参数

  • 现有数量3,899现货
  • 价格1 : ¥36.41000剪切带(CT)4,000 : ¥18.25731卷带(TR)
  • 系列StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)375A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.59 毫欧 @ 195A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)330 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20082 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),341W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DirectFET? 等距 L8
  • 封装/外壳DirectFET? 等距 L8