时间：2025/4/30 13:47:23
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IRL7472L1TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的双通道 N 沇道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和电机驱动应用。
这款 MOSFET 集成了两个独立的 N 沇道晶体管，能够在高频条件下实现高效的功率转换。其出色的性能使其成为消费电子、工业控制和通信设备的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：单通道 15A，总电流 30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 4.6mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：典型值 10nC
开关速度：快速开关
封装形式：SO-8
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRL7472L1TRPBF 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 紧凑的 SO-8 封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 双通道结构简化了多相位或双负载应用的设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接加工。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制电路。
3. 电机驱动器中的 H 桥和半桥配置。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 消费电子产品中的负载切换和电源管理。
6. 电信设备中的高效功率分配网络。
IRL7472PBF, IRL7472TRPBF
